Eletrnica
Redação do Site Inovação Tecnológica – 22/08/2025
O nome complicado – controle da deformao epitaxial da anisotropia eletrnica – mas os usos so muito prticos.
[Imagem: Seung Gyo Jeong et al. – 10.1126/sciadv.adw7125]
Guiando a eletricidade
Cientistas descobriram uma maneira de manipular a direo do fluxo de eletricidade em filmes metlicos ultrafinos temperatura ambiente usando luz.
uma ferramenta radical, uma que abre caminho para aumentar a eficincia energtica de quase tudo, dos computadores e sensores aos dispositivos de informao quntica.
A equipe mostrou que as camadas ultrafinas, como as usadas em inmeras tecnologias, podem se comportar de maneira diferente dependendo da direo do fluxo de cargas eltricas – tanto na forma como respondem luz quanto na forma como a eletricidade passa por elas.
“Este trabalho demonstra que agora podemos adaptar a condutividade ultrarrpida em metais usando o mesmo tipo de controle preciso da deformao epitaxial, um mtodo anteriormente reservado para semicondutores ou isolantes,” disse o professor Bharat Jalan, da Universidade de Minnesota, nos EUA. “Resolvemos esse problema projetando cuidadosamente camadas metlicas ultrafinas que interagem com a luz de novas maneiras – algo que no se v na verso mais espessa deste material.”
A deformao altera a disposio dos tomos, fazendo-os “apontar” em diferentes direes, o que altera como o material como um todo responde incidncia da luz. Como o efeito funciona a temperatura ambiente, ele poder ser usado em tecnologias do mundo real.
Desafiando as teorias
A demonstrao da tcnica foi feita usando camadas ultrafinas de dixido de rutnio (RuO2) cultivadas sobre um substrato de dixido de titnio (TiO2).
Acreditava-se que os metais tradicionais no possussem o controle direcional necessrio para a emergncia desse mecanismo devido sua natureza complexa e multibanda. De fato, ningum acreditava que isso fosse possvel, e nem mesmo havia teorias apontando nesse sentido. “Isto desafia antigas suposies na fsica da matria condensada e abre um caminho fundamentalmente novo para manipular carga e luz em sistemas metlicos,” disse o pesquisador Seunggyo Jeong.
Mas a equipe descobriu que, ao explorar o aninhamento de bandas – uma caracterstica da estrutura eletrnica – a resposta ultrarrpida pode ter uma propriedade fsica com valor diferente quando medida em diferentes direes.
Isto dever contribuir para o desenvolvimento de dispositivos de alto desempenho e baixo consumo de energia para computao, armazenamento de dados, sensoriamento e comunicaes seguras. A seguir, os pesquisadores planejam integrar os filmes de RuO2 em circuitos reais e verificar se o fenmeno ocorre em outros sistemas de xidos.
Bibliografia:
Artigo: Anisotropic strain relaxation-induced directional ultrafast carrier dynamics in RuO2 films
Autores: Seung Gyo Jeong, In Hyeok Choi, Seungjun Lee, Jin Young Oh, Sreejith Nair, Jae Hyuck Lee, Changyoung Kim, Ambrose Seo, Woo Seok Choi, Tony Low, Jong Seok Lee, Bharat Jalan
Revista: Science Advances
Vol.: 11, Issue 26
DOI: 10.1126/sciadv.adw7125
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